第132章 十倍精度光刻
纪弘也很头疼,产能怎么挤?巧妇也难为无米之炊!
最关键的自然不是零部件这种东西,而是光刻机。
不说别的,在限制一次又一次的加码之后,国内现在能够进口的最先进的光刻机是1980di,曝光精度是38nm的那款。
主要用于28nm、14nm制程,多重曝光的情况下,也能制造7nm芯片。
更高级别的已经完全不能出货了。
哪怕是1980di,现在要买也只有理论上的可能。现有的都是存量,都是有数的——华为的先进工艺,就是用这款光刻机采用多重曝光工艺生产的。
等效5nm,算是把这台光刻机压榨到了极限。
而国内生产已经投入商用的光刻机,是分辨率90nm的沪上微电子的SSA600/20。
回到家里,纪弘在书房,也是一样一样的在整理着国内的产业现状,心里也在思索一个可行的方案。
在他心里,王华新院士那边,超爆分辨率光刻机结合类思维AI大概率是可以瞬间解决问题的,目前这个型号的光刻机大约有十六台。
但,不管是否能行,都不能把鸡蛋放在同一个篮子里。
另一个方案……
他明天约了于总,这需要产业整合。
……
“用1980di生产更高工艺级别的芯片?做到台积电N5P的密度?能效比也要追上?”
纪弘一发邀请,于东立即就来了,不为别的,就为手机系统集成大小核与多线程智慧调度模块的开发已经完成。
但见面第一个问题,直接就把于东给搞懵了。
华为这两年一直在回避工艺这个问题,无论是去年的9000s和其一系列衍生物,还是今年即将发布的新的芯片,都不会对外公布工艺。
所谓等效7nm,等效5nm之类的,都是拆机爱好者用电子显微镜Decode之后计算出来的。
但是自家人知自家事儿,性能、功耗、工艺三者之间的桎梏是没那么容易打破的。
就比如9000s,调校激进一些不是问题,但功耗立即就会控制不住,发热和耗电都会严重,这就是工艺过低带来的弊端。
这两年,一直在这个工艺上修修补补,说是等效5nm了,但是能效比跟真正的5nm相去甚远。
而且,华为自认为在现有的硬件设备条件下,这台光刻机进步的空间已经被压榨干净了——除非EUV研发成功,否则,麒麟芯片的硬件性能想要再提升,已经非常困难了。
所以,他们才会对卷耳智能科技的多线程大小核调度模块如此的上心——性能不够,调度来凑。
而事实上,这个模块没有让他们失望——纸面数据直接提升了15%,实际体验的话,感知甚至更高。
是真的让这一代麒麟,有了至少不输8+的纸面数据,实际体验直追8G2都不是问题。
但现在,纪弘告诉他,做真正的5nm!
海思的设计能力现在已经无人怀疑,甚至在很多人眼里,它已经是世界最强,没有之一——能在落后制程工艺下设计出现在的麒麟,哪怕是苹果也不容易做到。
如果工艺再能提上去,那……
光想想,于东都觉得是美的。
……
“先参观一下吧。”纪弘看出于东的惊讶,话已经点到,解释什么都是多余的,摆事实在任何时候都会好过讲道理。
俩人换好衣服鞋子手套头套,来到产线。
“杨工,介绍一下现在的情况吧。”纪弘引这于东站在产线正在工作的光刻机屏幕之前,喊来总工程师,如此说道。
“无限套刻测试一直在循环进行,目前,极端线宽已经做到了22nm……”
于东听到22nm的时候,内心还一笑,这也不高嘛。
但是随即反应过来,当即惊呼道:“多少?”
这他么是220nm的光刻机啊,搞我玩儿呢吧,而且这玩意儿用的是i线365nm的光源啊!
华为利用SAQP技术实现4倍精度的光刻,这其中有多困难,只有做过才知道。
而且良率从几乎没法看到现在的渐渐提高,也经历了非常漫长的时间——说白了,这玩意是实在没办法了才去搞的。
如果国内有EUV,何至于费这么大的劲!
“10倍精度!22nm!”杨工程师确认道。
“你们用的什么方法?”于东没有怀疑杨工骗他,这东西就在这儿,骗他没有任何意义,纪弘想跟他谈什么,也不差这一点筹码。
“最简单的方法。”杨工程师也是认真的回复道:“就是把需要光刻的图分到多个掩膜版上,然后一遍一遍的重复光刻-刻蚀-光刻-刻蚀……就这样。”
“这……”这种方法于东当然知道,就是最原始的方法。
但是精度怎么控制啊?这东西在所有的工艺节点上,量产工艺,就没有做过双重以上的,最多就是双重。
理论倒是非常简单,但做起来那是非常的困难。
不仅是工件台的移动精度问题,有非常多的问题需要解决。
稍微对不准一点,一重一重的累积下来就会是天文数字,最终导致全盘都失败。
换句话说,你动一下都需要保持nm级别的精度,既然有这个技术,直接去改造光刻机都比这个更容易。
“来,看看我们的历程吧。”没等杨工回答,纪弘引着于东来看这几天产线在做什么。
“与传统提升工艺的过程不同,”纪弘介绍道:“类思维AI在这里发挥了巨大的作用。
“刻-刻蚀-光刻-刻蚀,也就是LELE这种双重曝光技术之所以引起套刻误差,不能四重甚至更多重的LELELELLE,是因为精度不好把握。
“但,对于我们来说,这反倒是最简单的。对准嘛,机械重复就好了,一次不行那就多来几次。”
这个过程困难吗?
对于一般的产线来说,非常困难。
因为误差有多少,不下产线去检测就不可能知道。
一次光刻之后,按程序移动,然后二次光刻,所有流程结束了,上检测线了,上封测线了,才能知道哪儿出了问题,良率多少,是不是能够满足量产需求。
不能的话,去调整,重复上述过程,直到满足需求。
但宏图微电子这儿呢?就好像里边住了个人。
机台动了一下,光刻尚未进行:“我对准了没?”
“好像还差一点。”
“现在呢?”
“往右一点。”
“这会儿呢?”
“往左一点。”
“现在呢?这回总可以了吧?”
“嗯!刻吧!”
这一刻,精准无比,别说刻三次五次,哪怕十次更多次,只要计算好了,那也完全都没有问题。
当然,真正的过程不可能是描述的这个样子,但如果拟人化的话,大概是这么个意思。
这就叫做精度不够,“微调”来凑。一步不到位,咱慢慢调。
当然,这个慢也是相对的——如果传感数据计算好了,由人来判断和调整,那是真叫慢——光电所的超爆光刻机所面临的就是这个问题。
但这个时候判断是否对准以及做出决策的,是类思维AI工业模型结合机器视觉以及维纳传感,这速度立即就上去了。
……
而于东看着这几天的数据,人有些麻。
这东西还不是一天成型的,从数据中可以明显看出,第一天的时候,双重曝光都还有些费劲,效果很不理想。
但成长贼快——随着一次又一次的尝试,一次又一次的训练,这套系统是越来越强,直到今天自己看到的这样一种十倍精度光刻的效果。
而这说起来还要多亏了王华新院士这个【微纳制造与智能传感技术】国内顶尖专家,如若不然,还真不一定能够达到现在的这种训练效果。
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最关键的自然不是零部件这种东西,而是光刻机。
不说别的,在限制一次又一次的加码之后,国内现在能够进口的最先进的光刻机是1980di,曝光精度是38nm的那款。
主要用于28nm、14nm制程,多重曝光的情况下,也能制造7nm芯片。
更高级别的已经完全不能出货了。
哪怕是1980di,现在要买也只有理论上的可能。现有的都是存量,都是有数的——华为的先进工艺,就是用这款光刻机采用多重曝光工艺生产的。
等效5nm,算是把这台光刻机压榨到了极限。
而国内生产已经投入商用的光刻机,是分辨率90nm的沪上微电子的SSA600/20。
回到家里,纪弘在书房,也是一样一样的在整理着国内的产业现状,心里也在思索一个可行的方案。
在他心里,王华新院士那边,超爆分辨率光刻机结合类思维AI大概率是可以瞬间解决问题的,目前这个型号的光刻机大约有十六台。
但,不管是否能行,都不能把鸡蛋放在同一个篮子里。
另一个方案……
他明天约了于总,这需要产业整合。
……
“用1980di生产更高工艺级别的芯片?做到台积电N5P的密度?能效比也要追上?”
纪弘一发邀请,于东立即就来了,不为别的,就为手机系统集成大小核与多线程智慧调度模块的开发已经完成。
但见面第一个问题,直接就把于东给搞懵了。
华为这两年一直在回避工艺这个问题,无论是去年的9000s和其一系列衍生物,还是今年即将发布的新的芯片,都不会对外公布工艺。
所谓等效7nm,等效5nm之类的,都是拆机爱好者用电子显微镜Decode之后计算出来的。
但是自家人知自家事儿,性能、功耗、工艺三者之间的桎梏是没那么容易打破的。
就比如9000s,调校激进一些不是问题,但功耗立即就会控制不住,发热和耗电都会严重,这就是工艺过低带来的弊端。
这两年,一直在这个工艺上修修补补,说是等效5nm了,但是能效比跟真正的5nm相去甚远。
而且,华为自认为在现有的硬件设备条件下,这台光刻机进步的空间已经被压榨干净了——除非EUV研发成功,否则,麒麟芯片的硬件性能想要再提升,已经非常困难了。
所以,他们才会对卷耳智能科技的多线程大小核调度模块如此的上心——性能不够,调度来凑。
而事实上,这个模块没有让他们失望——纸面数据直接提升了15%,实际体验的话,感知甚至更高。
是真的让这一代麒麟,有了至少不输8+的纸面数据,实际体验直追8G2都不是问题。
但现在,纪弘告诉他,做真正的5nm!
海思的设计能力现在已经无人怀疑,甚至在很多人眼里,它已经是世界最强,没有之一——能在落后制程工艺下设计出现在的麒麟,哪怕是苹果也不容易做到。
如果工艺再能提上去,那……
光想想,于东都觉得是美的。
……
“先参观一下吧。”纪弘看出于东的惊讶,话已经点到,解释什么都是多余的,摆事实在任何时候都会好过讲道理。
俩人换好衣服鞋子手套头套,来到产线。
“杨工,介绍一下现在的情况吧。”纪弘引这于东站在产线正在工作的光刻机屏幕之前,喊来总工程师,如此说道。
“无限套刻测试一直在循环进行,目前,极端线宽已经做到了22nm……”
于东听到22nm的时候,内心还一笑,这也不高嘛。
但是随即反应过来,当即惊呼道:“多少?”
这他么是220nm的光刻机啊,搞我玩儿呢吧,而且这玩意儿用的是i线365nm的光源啊!
华为利用SAQP技术实现4倍精度的光刻,这其中有多困难,只有做过才知道。
而且良率从几乎没法看到现在的渐渐提高,也经历了非常漫长的时间——说白了,这玩意是实在没办法了才去搞的。
如果国内有EUV,何至于费这么大的劲!
“10倍精度!22nm!”杨工程师确认道。
“你们用的什么方法?”于东没有怀疑杨工骗他,这东西就在这儿,骗他没有任何意义,纪弘想跟他谈什么,也不差这一点筹码。
“最简单的方法。”杨工程师也是认真的回复道:“就是把需要光刻的图分到多个掩膜版上,然后一遍一遍的重复光刻-刻蚀-光刻-刻蚀……就这样。”
“这……”这种方法于东当然知道,就是最原始的方法。
但是精度怎么控制啊?这东西在所有的工艺节点上,量产工艺,就没有做过双重以上的,最多就是双重。
理论倒是非常简单,但做起来那是非常的困难。
不仅是工件台的移动精度问题,有非常多的问题需要解决。
稍微对不准一点,一重一重的累积下来就会是天文数字,最终导致全盘都失败。
换句话说,你动一下都需要保持nm级别的精度,既然有这个技术,直接去改造光刻机都比这个更容易。
“来,看看我们的历程吧。”没等杨工回答,纪弘引着于东来看这几天产线在做什么。
“与传统提升工艺的过程不同,”纪弘介绍道:“类思维AI在这里发挥了巨大的作用。
“刻-刻蚀-光刻-刻蚀,也就是LELE这种双重曝光技术之所以引起套刻误差,不能四重甚至更多重的LELELELLE,是因为精度不好把握。
“但,对于我们来说,这反倒是最简单的。对准嘛,机械重复就好了,一次不行那就多来几次。”
这个过程困难吗?
对于一般的产线来说,非常困难。
因为误差有多少,不下产线去检测就不可能知道。
一次光刻之后,按程序移动,然后二次光刻,所有流程结束了,上检测线了,上封测线了,才能知道哪儿出了问题,良率多少,是不是能够满足量产需求。
不能的话,去调整,重复上述过程,直到满足需求。
但宏图微电子这儿呢?就好像里边住了个人。
机台动了一下,光刻尚未进行:“我对准了没?”
“好像还差一点。”
“现在呢?”
“往右一点。”
“这会儿呢?”
“往左一点。”
“现在呢?这回总可以了吧?”
“嗯!刻吧!”
这一刻,精准无比,别说刻三次五次,哪怕十次更多次,只要计算好了,那也完全都没有问题。
当然,真正的过程不可能是描述的这个样子,但如果拟人化的话,大概是这么个意思。
这就叫做精度不够,“微调”来凑。一步不到位,咱慢慢调。
当然,这个慢也是相对的——如果传感数据计算好了,由人来判断和调整,那是真叫慢——光电所的超爆光刻机所面临的就是这个问题。
但这个时候判断是否对准以及做出决策的,是类思维AI工业模型结合机器视觉以及维纳传感,这速度立即就上去了。
……
而于东看着这几天的数据,人有些麻。
这东西还不是一天成型的,从数据中可以明显看出,第一天的时候,双重曝光都还有些费劲,效果很不理想。
但成长贼快——随着一次又一次的尝试,一次又一次的训练,这套系统是越来越强,直到今天自己看到的这样一种十倍精度光刻的效果。
而这说起来还要多亏了王华新院士这个【微纳制造与智能传感技术】国内顶尖专家,如若不然,还真不一定能够达到现在的这种训练效果。
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